IGBT，即绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种应用广泛的开关功率器件。它由MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和双极型晶体管的特点结合而成。IGBT具有MOSFET输入电阻低，控制电压低；双极型晶体管的输出电流高，输入电流低等特点，因此在高压高电流的控制电路中得到了广泛应用。
IGBT的工作原理是控制电压作用于栅极时，驱动控制电路输出一个电流控制IGBT的导通或截止。IGBT在导通状态下具有很小的导通电阻，能够承受大电流，输出功率比MOSFET大；而在截止状态下，具有很高的绝缘电阻，几乎不会有泄漏电流，因而在高压情况下具有更优异的可靠性。
IGBT的应用范围非常广泛，特别是在电力电子领域中得到了广泛应用。例如，IGBT可用作交流调压器，直流电源的开关，电机驱动器等。此外，IGBT还可用于电动汽车、太阳能电池等新能源应用的控制电路中，以及电焊机、UPS等市场日益增长的应用中。